نمایش نتایج جستجو برای
کلمات کلیدی: Gate-Source Capacitance
موارد یافت شده: 3
1 - Investigation of A I GaNIGaN HEMTs with step aluminum mole fraction and doping level in the barrier layer (چکیده)2 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
3 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
